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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FMMT491A
FMMT491A PDF预览

FMMT491A

更新时间： 2024-10-29 22:48:59
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管PC局域网
页数 文件大小 规格书
2页 144K
描述
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

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FMMT491A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：7.75Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：1 A基于收集器的最大容量：10 pF
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：35JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

FMMT491A 数据手册

 浏览型号FMMT491A的Datasheet PDF文件第2页 
SOT23 NPN SILICON PLANAR  
MEDIUM POWER TRANSISTOR  
ISSUE 3 – OCTOBER 1995  
FMMT491A  
FEATURES  
* Very Low Equivalent Resistance, RCE(sat) 195mΩ at 1A  
E
C
B
COMPLEMENTARY TYPE –  
PARTMARKING DETAIL –  
FMMT591A  
41A  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
40  
Collector-Emitter Voltage  
40  
V
Emitter-Base Voltage  
VEBO  
5
V
Continuous Collector Current  
Peak Pulse Current  
IC  
1
A
ICM  
2
A
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
Ptot  
500  
mW  
°C  
Tj:Tstg  
= 25°C).  
-55 to +150  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
MAX.  
UNIT  
CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
VCEO(sus)  
V(BR)EBO  
40  
40  
5
V
V
V
IC=100µA  
IC=10mA*  
IE=100µA  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
Cut-Off Currents  
ICBO,ICES  
IEBO  
100  
100  
nA  
nA  
VCB=30V,VCES=30V  
VEB=4V  
Emitter Cut-Off Current  
Saturation Voltages  
VCE(sat)  
0.3  
0.5  
V
V
IC=500mA, IB=50mA*  
IC=1A, IB=100mA*  
VBE(sat)  
VBE(on)  
hFE  
1.1  
1.0  
V
V
IC=1A, IB=100mA*  
IC=1A, VCE=5V*  
Base Emitter Turn On Voltage  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
300  
300  
200  
35  
IC=1mA, VCE=5V*  
IC=500mA, VCE=5V*  
IC=1A, VCE=5V*  
900  
IC=2A, VCE=5V*  
Transition Frequency  
fT  
150  
MHz  
pF  
IC=50mA, VCE=10V  
f=100MHz  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
Cobo  
10  
VCB=10V, f=1MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%  
Spice parameter data is available upon request for this device  
3 - 117  
12

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与FMMT491A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FMMT491AQ DIODES

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 		NPN, 40V, 1A, SOT23
FMMT491AQTA DIODES

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 		40V NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23
FMMT491AQTC DIODES

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 		40V NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23
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 		40V NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23
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 		40V NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23
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 		Tape:3K/Reel,120K/Ctn;
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 		SOT-23
FMMT491QTA DIODES

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), NPN,

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