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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FMMT491
FMMT491 PDF预览

FMMT491

更新时间： 2024-11-12 06:59:43
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 313K
描述
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(NPN)

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FMMT491 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.31最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：265
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON

FMMT491 数据手册

 浏览型号FMMT491的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FMMT491的Datasheet PDF文件第3页 
RECTRON  
TECHNICAL SPECIFICATION  
FMMT491  
SEMICONDUCTOR  
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS  
TRANSISTOR(NPN)  
FEATURES  
* Power dissipation  
PCM :  
* Collector current  
ICM :  
0.5  
1
W (Tamb=25OC)  
A
* Collector-base voltage  
80  
V
:
V
(BR)CBO  
SOT-23  
* Operating and storage junction temperature range  
T ,Tstg: -55OC to +150OC  
J
COLLECTOR  
3
MECHANICAL DATA  
0.055(1.40)  
0.047(1.20)  
BASE  
1
Case: Molded plastic  
*
*
*
*
*
*
2
EMITTER  
Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant  
Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed  
Mounting position: Any  
Weight: 0.008 gram  
Marking: 491  
0.006(0.15)  
0.003(0.08)  
0.043(1.10)  
0.035(0.90)  
0.020(0.50)  
0.012(0.30)  
0.004(0.10)  
0.000(0.00)  
0.100(2.55)  
0.089(2.25)  
0.020(0.50)  
0.012(0.30)  
1
2
0.019(2.00)  
0.071(1.80)  
0.118(3.00)  
0.110(2.80)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25OC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase , half wave, 60HZ, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
3
Dimensions in inches and (millimeters)  
O
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( @ T = 25 C unless otherwise noted )  
A
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
V
V
V
Collector-base breakdown voltage (I = 100µA, I =0)  
80  
60  
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
C
E
(BR)CBO  
(BR)CEO  
(BR)EBO  
Collector-emitter breakdown voltage (I = 10mA, I =0) (Note 1)  
C
B
Emitter-base breakdown voltage (I = 100µA, I =0)  
-
V
E
C
I
Collector cut-off current (V = 60V, I =0)  
-
0.1  
0.1  
-
mA  
mA  
-
CB  
E
CBO  
I
Emitter cut-off current (V = 4V, I =0)  
-
EB  
C
EBO  
h
DC current gain (V = 5V, I = 1mA)  
100  
100  
80  
30  
-
CE  
C
FE(1)  
h
DC current gain (V = 5V, I = 500mA) (Note 1)  
300  
-
-
CE  
C
FE(2)  
h
DC current gain (V = 5V, I = 1A) (Note 1)  
-
CE  
C
FE(3)  
h
DC current gain (V = 5V, I = 2A) (Note 1)  
-
-
CE  
C
FE(4)  
V
V
0.25  
0.5  
1.1  
1
Collector-emitter saturation voltage (I = 500mA, I = 50mA) (Note 1)  
V
C
B
CE(sat)1  
CE(sat)2  
-
Collector-emitter saturation voltage (I = 1A, I = 100mA) (Note 1)  
V
C
B
V
-
Base-emitter saturation voltage (I = 1A, I = 100mA) (Note 1)  
V
C
B
BE(sat)  
V
-
Base-emitter voltage ((V = 5V, I = 1A) (Note 1)  
V
CE  
C
BE  
f
150  
-
-
Transition frequency (V = 10V, I = 50mA, f=100MHZ)  
CE  
MHZ  
C
T
C
10  
Collector output capactitance (V = 10V, f=1MHZ)  
CB  
F
p
ob  
2006-3  
Notes 1: Measured under pulsed conditions, Pulse width=300ms, Duty cycle < 2%.  
2: "Fully ROHS compliant", "100% Sn plating (Pb-free)".  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FMMT491A ZETEX

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 		NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
FMMT491A TYSEMI

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 		Very Low Equivalent Resistance, SOT23 NPN Rsilicon planar
FMMT491A KEXIN

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 		Medium Power Transistor
FMMT491A DIODES

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 		SOT23 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
FMMT491A RECTRON

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 		Package / Case : SOT-23;Mounting Style : SMD/SMT;Power Rating : 0.5 W;Transistor Polarity
FMMT491AQ DIODES

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FMMT491AQTA DIODES

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