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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FMMT491-TP
FMMT491-TP PDF预览

FMMT491-TP

更新时间： 2024-10-30 13:07:51
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 232K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PACKAGE-3

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FMMT491-TP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.13
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

FMMT491-TP 数据手册

 浏览型号FMMT491-TP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FMMT491-TP的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
FMMT491  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
NPN Silicon Planar  
High Performance  
Transistor  
•
Power dissipation: PCM=0.5W(Tamb=25?)  
•
Collector current: Ic=1A  
·
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
·
x
Moisure Sensitivity Level 1  
Marking:491  
Maximum Ratings*  
Symbol  
Rating  
Rating  
60  
80  
5.0  
1.0  
Unit  
V
V
V
A
SOT-23  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
A
D
C
Collector Current,  
Ptot  
Power Dissipation at Tamb=25R  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
500  
mW  
B
C
TJ  
-55 to +150  
-55 to +150  
R
R
TSTG  
E
B
F
E
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
H
OFF CHARACTERISTICS  
G
J
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage*  
(IC=10mAdc, IB=0)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=100µAdc, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=100µAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=60Vdc, IE=0Vdc)  
60  
80  
5.0  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
K
DIMENSIONS  
INCHES  
MIN  
MM  
---  
Vdc  
DIM  
A
B
C
D
E
MAX  
MIN  
2.80  
2.10  
1.20  
.89  
1.78  
.45  
.013  
.89  
MAX  
3.04  
2.64  
1.40  
1.03  
2.05  
.60  
.100  
1.12  
.180  
.51  
NOTE  
.110  
.083  
.047  
.035  
.070  
.018  
.120  
.098  
.055  
.041  
.081  
.024  
.0039  
.044  
.007  
.020  
0.1  
0.1  
uAdc  
uAdc  
Vdc  
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=4.0Vdc, IC=0)  
---  
F
VCE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage*  
(IC=500mAdc, IB=50mAdc)  
(IC=1Adc, IB=100mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage*  
(IC=1Adc, IB=100mAdc)  
Base-Emitter Voltage*  
G
H
J
.0005  
.035  
.003  
.015  
---  
---  
0.25  
0.5  
.085  
.37  
VBE(sat)  
VBE  
K
---  
---  
1.1  
1
Vdc  
Vdc  
Suggested Solder  
Pad Layout  
(VCE=5Vdc, IC=1Adc)  
DC Current Gain  
hFE  
(VCE=5Vdc, IC=1mAdc)  
(VCE=5Vdc, IC=500mAdc)*  
(VCE=5Vdc, IC=1Adc)*  
(VCE=5Vdc, IC=2Adc)*  
Transition Frequency  
100  
100  
80  
---  
300  
---  
.031  
.800  
---  
.035  
.900  
30  
---  
fT  
.079  
2.000  
(IC=50mAdc, VCE=10Vdc, f=100MHz)  
Output Capacitance  
(VCB=10Vdc, f=1.0MHz)  
150  
---  
---  
MHz  
pF  
inches  
mm  
Cob  
10  
* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300us. Duty cycle!2%  
.037  
.950  
.037  
.950  
www.mccsemi.com  
Revision: A  
2011/01/01  
1 of 3  
123

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FMMT491-TP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FMMT451TA DIODES

类似代替

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