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FMMT494

更新时间: 2024-01-10 16:23:59
品牌 Logo 应用领域
科信 - KEXIN 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 36K
描述
Medium Power Transistor

FMMT494 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95Factory Lead Time:15 weeks
风险等级:5.36最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:120 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.5 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHz

FMMT494 数据手册

 浏览型号FMMT494的Datasheet PDF文件第2页 
SMD Type  
Transistors  
Medium Power Transistor  
FMMT494  
SOT-23  
Unit: mm  
+0.1  
2.9  
-0.1  
+0.1  
0.4  
-0.1  
3
Features  
SOT23 NPN Silicon Planar  
1
2
+0.1  
0.95  
-0.1  
+0.05  
0.1  
-0.01  
+0.1  
1.9  
-0.1  
1.Base  
2.Emitter  
3.collector  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
Rating  
Unit  
140  
V
V
120  
5
V
Peak collector current  
Collector current  
2
A
IC  
1
200  
A
Base current  
IB  
mA  
mW  
Power dissipation  
Ptot  
500  
Operating and storage temperature range  
Tj,Tstg  
-55 to +150  
1
www.kexin.com.cn  

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