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FMMT5087

更新时间： 2024-02-24 02:02:23

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科信 - KEXIN		晶体晶体管光电二极管
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1页	35K
描述
Small Signal Transistor

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FMMT5087 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.4
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	基于收集器的最大容量：	4 pF
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	250	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	40 MHz	VCEsat-Max：	0.3 V

FMMT5087 数据手册

SMD Type

TransistIoCrs

Small Signal Transistor

FMMT5087

SOT-23

Unit: mm

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

Features

Small signal transistor.

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

-0.01

0.1

+0.1

1.9

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

-50

Unit

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

-50

-3

Collector current

-100

Power dissipation

P^tot

330

Operating and storage temperature range

T^j,Tstg

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

Testconditons

VCB=-10V, IE=0

Min

Typ

Max

Unit

-10

-50

ìA

Collector cutoff current

I^CBO

V^CB=-35V, IE=0

Emitter cut-off current

IEBO

V^CE(sat)

V^BE(on)

h^FE

-50

-300

-850

800

VEB=-3V, IC=0

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter on voltage

DC current gain

IC=-10mA, IB=-1mA

IC=-1mA, VCE=-5V

IC=-100mA, VCE=-5V

250

Current-gain-bandwidth product

Small signal current transfer

f^T

IC=-500mA, VCE=-5V f=20MHz

IC=-1mA, VCE=-5V f=1KHz

MHz

h^fe

250

900

I^C=200ìA, VCE=-5V, Rg=2KÙ

f=30Hz to 15KHz at 2dB points

Noise figure

Output capacitance

C^obo

VCB=-5V, f=140MHz, IE=0

Marking

www.kexin.com.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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