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FMMT5209-2Q

更新时间： 2024-11-11 03:59:19

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描述
SOT23 NPN SILICON PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTORS

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FMMT5209-2Q 数据手册

SOT23 NPN SILICON PLANAR

SMALL SIGNAL TRANSISTORS

FMMT5209

FMMT5210

ISSUE 2 - JULY 1995

✪

PARTMARKING DETAILS:

FMMT5209 - 2Q

FMMT5210 - 2R

SOT23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

FMMT5209 FMMT5210

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

4.5

Continuous Collector Current

Power Dissipation

°C

P_tot

330

Operating and Storage Temperature Range

T_j:T_stg

-55 TO +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

FMMT5209

FMMT5210

PARAMETER

SYMBOL

I_CBO

UNIT CONDITIONS.

MIN. MAX. MIN. MAX.

Collector-Base

Cut-Off Current

V_CB=35V, I_E=0

Emitter-Base

Cut-Off Current

I_EBO

nA V_EB=3V, I_C=0

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

V_BE(on)

h_FE

700

850

300

700

850

600

mV I_C=10mA, I_B=1mA

mV I_C=1mA, V_CE=5V

Base-Emitter ON

Voltage

Static Forward

Current Transfer

Ratio

100

150

200

250

I_C=100µA, V_CE=5V

I_C=1mA, V_CE=5V

I_C=10mA, V_CE=5V*

Transition Frequency f_T

MHz I_C=0.5mA, V_CE=5V,

f=20MHz

Small Signal Current h_fe

Transfer Ratio

150

600

250

900

MHz I_C=1mA, V_CE=5V, f=1KHz

Noise Figure

I_C=200µA, V_CE=5V, R_g=2KΩ,

f=30Hz to 15KHz at -3dB

points

I_C=200µA, V_CE=5V, R_g=2KΩ,

f=1KHz to ∆f=200Hz

Output Capacitance C_obo

V_CB=5V, I_E=0, f=140KHz

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