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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FMMT5088TA
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FMMT5088TA

更新时间： 2024-01-08 06:49:02
品牌 Logo 应用领域
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页数 文件大小 规格书
1页 31K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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FMMT5088TA 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.32
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.05 A
基于收集器的最大容量：4 pF集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：300
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
VCEsat-Max：0.5 VBase Number Matches：1

FMMT5088TA 数据手册

  
SOT23 NPN SILICON PLANAR  
FMMT5088  
FMMT5089  
SMALL SIGNAL TRANSISTORS  
ISSUE 2 - SEPTEMBER 1995  
PARTMARKING DETAIL—  
FMMT5088 - 1Q  
FMMT5089 - 1R  
E
C
COMPLEMENTARY TYPES — FMMT5088 - FMMT5087  
FMMT5089 - None Available  
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
FMMT5088 FMMT5089  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
35  
30  
30  
25  
V
4.5  
50  
4.5  
50  
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
mA  
mW  
°C  
Ptot  
330  
330  
Operating and Storage Temperature Range Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
amb  
= 25°C).  
FMMT5088  
FMMT5089  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. MAX. MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
ICBO  
35  
30  
25  
30  
V
V
IC=1mA, IB=0  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
IC=100µA,IE=0*  
Collector- Base  
Cut-Off Current  
50  
50  
0.5  
nA  
nA  
VCB=20V, IE=0  
VCB=15V, IE=0  
50  
Emitter-Base Current IEBO  
nA  
nA  
VEB(off)=3V, IC=0  
VEB(off)=4.5V, IC=0  
100  
0.5  
Emitter Saturation  
Voltages  
VCE(sat)  
V
V
IC=10mA, IB=1mA  
VBE(sat)  
hFE  
0.8  
0.8  
Static Forward  
Current Transfer  
Ratio  
300  
350  
300  
900  
400  
450  
400  
1200  
IC=100µA, VCE=5V  
IC=1mA, VCE=5V  
IC=10mA, VCE=5V  
Transition  
Frequency  
fT  
50  
50  
MHz  
IC=500µA, VCE=5V  
f=20MHz  
Output Capacitance  
Cobo  
Cebo  
4
4
pF  
pF  
VCB=5V, f=1MHz, IE=0  
Emitter-base  
Capacitance  
10  
10  
VBE=0.5V, f=1MHz,  
IC=0  
Noise Figure  
N
3
2
dB  
IC=200mA, VCE=5V,  
Rg=10KΩ, f=10Hz to  
15KHz  
Small Signal Current hfe  
Transfer Ratio  
350  
1400 450  
1800  
IC=1mA, VCE=5V  
f=1KHz ++  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2% ++ Periodic Sample test Only  
Spice parameter data is available upon request for this device  
Page Number  
1

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