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FMMT5088

更新时间： 2024-01-17 23:17:47

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TYSEMI		晶体晶体管
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1页	97K
描述
Small signal transistor

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FMMT5088 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.32
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
基于收集器的最大容量：	4 pF	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	300
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
VCEsat-Max：	0.5 V	Base Number Matches：	1

FMMT5088 数据手册

SMD Type

Product specification

FMMT5088

SOT-23

Unit: mm

+0.1

-0.1

2.9

0.4

+0.1

-0.1

Features

Small signal transistor.

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

-0.01

0.1

+0.1

-0.1

1.9

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

Unit

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

4.5

Collector current

Power dissipation

P^tot

330

Operating and storage temperature range

T^j,T^stg

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

Testconditons

I^C=1mA, I^B=0

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage *

Collector-base cut-off current

Emitter-base current

V^(BR)CBO

V^(BR)CEO

I^CBO

I^C=100mA,I^E=0*

V^CB=20V, I^E=0

I^EBO

V^EB(off)=3V, I^C=0

I^C=10mA, I^B=1mA

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

DC current gain

V^CE(sat)

V^BE(sat)

h^FE

0.5

0.8

900

300

I^C=100ìA, V^CE=5V

Current-gain-bandwidth product

Output capacitance

IC=500mA, VCE=5V f=20MHz

MHz

Cobo

V^CB=5V, f=1MHz, I^E=0

VBE=0.5V, f=1MHz, IC=0

Emitter-base capacitance

C^ebo

I^C=200mA, V^CE=5V,

Noise figure

hfe

R^g=10KÙ, f=10Hz to 15KHz

Small signal current transfer ratio

I^C=1mA, V^CE=5V f=1KHz

350

1400

* Pulse test: tp

300 ìs; d

0.02.

Marking

http://www.twtysemi.com

1 of 1

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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