5秒后页面跳转
FMMT494 PDF预览

FMMT494

更新时间: 2024-01-19 15:33:09
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 121K
描述
SOT23 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

FMMT494 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95Factory Lead Time:15 weeks
风险等级:5.36最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:120 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.5 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHz

FMMT494 数据手册

 浏览型号FMMT494的Datasheet PDF文件第2页 
SOT23 NPN SILICON PLANAR  
MEDIUM POWER TRANSISTOR  
FMMT494  
ISSUE 3 - NOVEMBER 1995  
PARTMARKING DETAIL –  
494  
E
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
140  
Collector-Emitter Voltage  
120  
V
Emitter-Base Voltage  
5
V
Continuous Collector Current  
Peak Pulse Current  
1
2
A
ICM  
A
Base Current  
IB  
200  
mA  
mW  
°C  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
Ptot  
500  
Tj:Tstg  
= 25°C).  
-55 to +150  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
MAX.  
UNIT  
CONDITIONS.  
Breakdown Voltages  
V(BR)CBO  
VCEO(sus)  
V(BR)EBO  
ICBO  
140  
120  
5
V
IC=100µA  
IC=10mA*  
IE=100µA  
VCB=120V  
VCE=120V  
VEB=4V  
V
V
Collector Cut-Off Currents  
Emitter Cut-Off Current  
100  
100  
100  
nA  
nA  
nA  
ICES  
IEBO  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
0.2  
0.3  
V
V
IC=250mA, IB=25mA*  
IC=500mA, IB=50mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
VBE(on)  
hFE  
1.1  
V
IC=500mA, IB=50mA*  
Base-Emitter  
Turn On Voltage  
1.0  
V
IC=500mA, VCE=10V*  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
100  
100  
60  
IC=1mA, VCE=10V*  
IC=250mA, VCE=10V*  
IC=500mA, VCE=10V*  
IC=1A, VCE=10V*  
300  
10  
20  
Transition Frequency  
fT  
100  
MHz  
pF  
IC=50mA, VCE=10V  
f=100MHz  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
Cobo  
VCB=10V, f=1MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle 2%  
3 - 121  

与FMMT494相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FMMT494Q DIODES

获取价格

NPN, 120V, 1A, SOT23
FMMT494QTA DIODES

获取价格

120V NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23
FMMT494QTC DIODES

获取价格

120V NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23
FMMT494TA DIODES

获取价格

120V NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23
FMMT494TC DIODES

获取价格

120V NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23
FMMT495 TYSEMI

获取价格

SOT23 NPN silicon planar medium
FMMT495 ZETEX

获取价格

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR
FMMT495 DIODES

获取价格

SOT23 NPN SILICON PLANAR MEDIUM
FMMT495 KEXIN

获取价格

Power High Performance Transistor
FMMT495 CJ

获取价格

SOT-23