5秒后页面跳转
FMMT493 PDF预览

FMMT493

更新时间: 2024-10-31 22:48:59
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 125K
描述
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

FMMT493 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:7.72最大集电极电流 (IC):1 A
基于收集器的最大容量:10 pF集电极-发射极最大电压:100 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):20
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.5 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):150 MHz
VCEsat-Max:0.6 VBase Number Matches:1

FMMT493 数据手册

 浏览型号FMMT493的Datasheet PDF文件第2页 
SOT23 NPN SILICON PLANAR  
MEDIUM POWER TRANSISTOR  
FMMT493  
ISSUE 3 - NOVEMBER 1995  
COMPLEMENTARY TYPE –  
PARTMARKING DETAIL –  
FMMT593  
493  
E
C
B
SOT23  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
120  
Collector-Emitter Voltage  
100  
V
Emitter-Base Voltage  
5
V
Continuous Collector Current  
Peak Pulse Current  
1
2
A
ICM  
A
Base Current  
IB  
200  
mA  
mW  
°C  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
Ptot  
500  
Tj:Tstg  
= 25°C).  
-55 to +150  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
MAX.  
UNIT  
CONDITIONS.  
Breakdown Voltages  
V(BR)CBO  
VCEO(sus)  
V(BR)EBO  
ICBO  
120  
100  
5
V
IC=100µA  
IC=10mA*  
IE=100µA  
VCB=100V  
VCES=100V  
VEB=4V  
V
V
Collector Cut-Off Current  
Collector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
Saturation Voltages  
100  
100  
100  
nA  
nA  
nA  
ICES  
IEBO  
VCE(sat)  
0.3  
0.6  
V
V
IC=500mA, IB=50mA  
IC=1A, IB=100mA  
VBE(sat)  
VBE(on)  
1.15  
1.0  
V
V
IC=1A, IB=100mA  
IC=1A, VCE=10V  
Base-Emitter  
Turn On Voltage  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
hFE  
100  
100  
60  
IC=1mA, VCE=10V*  
IC=250mA, VCE=10V*  
IC=500mA, VCE=10V*  
IC=1A, VCE=10V*  
300  
20  
Transition Frequency  
fT  
150  
MHz  
pF  
IC=50mA, VCE=10V  
f=100MHz  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
Cobo  
10  
VCB=10V, f=1MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle 2%  
3 - 119  

与FMMT493相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FMMT493A DIODES

获取价格

SOT23 60V NPN SILICON PLANAR
FMMT493A ZETEX

获取价格

60V NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER PLANAR TRANSISTOR
FMMT493ATA ZETEX

获取价格

60V NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER PLANAR TRANSISTOR
FMMT493ATC ZETEX

获取价格

60V NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER PLANAR TRANSISTOR
FMMT493E BL Galaxy Electrical

获取价格

100V,1A,General Purpose NPN Bipolar Transistor
FMMT493-G COMCHIP

获取价格

General Purpose Transistor
FMMT493Q DIODES

获取价格

NPN, 100V, 1A, SOT23
FMMT493QTA DIODES

获取价格

100V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23
FMMT493TA ZETEX

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
FMMT493TA DIODES

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,