FMMT493

更新时间： 2024-09-13 10:34:51

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	510K
描述
NPN Silicon Planar Medium Power Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FMMT493 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

FMMT493

Micro Commercial Components

Features

NPN Silicon Planar

Medium Power

Transistor

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

•

Power dissipation: P_CM=250mW(T_amb=25℃)

Collector current: I_c=1A

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

Marking:493

Maximum Ratings*

SOT-23

Symbol

Rating

100

120

5.0

1.0

250

Unit

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current,

P_tot

Power Dissipation at Tamb=25℃

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

T_J

-55 to +150

℃

T_STG

Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage*

(I_C=10mAdc, I_B=0)

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=100µAdc, I_E=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I_E=100µAdc, I_C=0)

Collector Cutoff Current

(V_CB=100Vdc, I_E=0Vdc)

100

120

5.0

---

Vdc

DIMENSIONS

INCHES

MIN

DIM

MAX

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

NOTE

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

---

Vdc

0.1

uAdc

Vdc

I_EBO

Emitter Cutoff Current

(V_EB=4.0Vdc, I_C=0)

---

.0005

.035

.003

.015

V_CE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage*

(I_C=500mAdc, I_B=50mAdc)

(I_C=1Adc, I_B=100mAdc)

Base-Emitter Saturation Voltage*

(I_C=1Adc, I_B=100mAdc)

Base-Emitter Turn On Voltage*

(V_CE=10Vdc, I_C=1Adc)

DC Current Gain

(V_CE=10Vdc, I_C=1mAdc)

(V_CE=10Vdc, I_C=250mAdc)*

(V_CE=10Vdc, I_C=500mAdc)*

(V_CE=10Vdc, I_C=1Adc)*

---

0.3

0.6

.085

.37

V_BE(sat)

V_BE(on)

h_FE

---

1.15

Vdc

Suggested Solder

Pad Layout

.031

.800

100

---

300

---

.035

.900

---

.079

2.000

f_T

Transition Frequency

(I_C=50mAdc, V_CE=10Vdc, f=100MHz)

Output Capacitance

(V_CB=10Vdc, f=1.0MHz)

inches

150

---

MHz

C_ob

* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300us. Duty cycle≦2%

.037

.950

.037

.950

www.mccsemi.com

Revision: A

2011/01/01

1 of 3

12 3

中文翻译

下载PDF

与FMMT493相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FMMT493A	DIODES	获取价格	SOT23 60V NPN SILICON PLANAR
FMMT493A	ZETEX	获取价格	60V NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER PLANAR TRANSISTOR
FMMT493ATA	ZETEX	获取价格	60V NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER PLANAR TRANSISTOR
FMMT493ATC	ZETEX	获取价格	60V NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER PLANAR TRANSISTOR
FMMT493E	BL Galaxy Electrical	获取价格	100V,1A,General Purpose NPN Bipolar Transistor
FMMT493-G	COMCHIP	获取价格	General Purpose Transistor
FMMT493Q	DIODES	获取价格	NPN, 100V, 1A, SOT23
FMMT493QTA	DIODES	获取价格	100V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23
FMMT493TA	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
FMMT493TA	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

与FMMT493相关文章

SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

78
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

69
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
2024-08-26

99
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
2024-08-23

113

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FMMT493

FMMT493 数据手册

与FMMT493相关器件

与FMMT493相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FMMT493

FMMT493 数据手册

与FMMT493相关器件

与FMMT493相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？