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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FMMT493
FMMT493 PDF预览

FMMT493

更新时间： 2024-02-16 00:12:50
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美台 - DIODES 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 129K
描述
SOT23 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

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FMMT493 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.68
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.25 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

FMMT493 数据手册

 浏览型号FMMT493的Datasheet PDF文件第2页 
SOT23 NPN SILICON PLANAR  
MEDIUM POWER TRANSISTOR  
FMMT493  
ISSUE 3 - NOVEMBER 1995  
COMPLEMENTARY TYPE –  
PARTMARKING DETAIL –  
✪
FMMT593  
493  
E
C
B
SOT23  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
120  
Collector-Emitter Voltage  
100  
V
Emitter-Base Voltage  
5
V
Continuous Collector Current  
Peak Pulse Current  
1
2
A
ICM  
A
Base Current  
IB  
200  
mA  
mW  
°C  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
Ptot  
500  
Tj:Tstg  
= 25°C).  
-55 to +150  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
MAX.  
UNIT  
CONDITIONS.  
Breakdown Voltages  
V(BR)CBO  
VCEO(sus)  
V(BR)EBO  
ICBO  
120  
100  
5
V
IC=100µA  
IC=10mA*  
IE=100µA  
VCB=100V  
VCES=100V  
VEB=4V  
V
V
Collector Cut-Off Current  
Collector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
Saturation Voltages  
100  
100  
100  
nA  
nA  
nA  
ICES  
IEBO  
VCE(sat)  
0.3  
0.6  
V
V
IC=500mA, IB=50mA  
IC=1A, IB=100mA  
VBE(sat)  
VBE(on)  
1.15  
1.0  
V
V
IC=1A, IB=100mA  
IC=1A, VCE=10V  
Base-Emitter  
Turn On Voltage  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
hFE  
100  
100  
60  
IC=1mA, VCE=10V*  
IC=250mA, VCE=10V*  
IC=500mA, VCE=10V*  
IC=1A, VCE=10V*  
300  
20  
Transition Frequency  
fT  
150  
MHz  
pF  
IC=50mA, VCE=10V  
f=100MHz  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
Cobo  
10  
VCB=10V, f=1MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%  
3 - 119  
12

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FMMT493 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FMMT493TC DIODES

完全替代

 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
FMMT494TA DIODES

完全替代

 120V NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23
FMMT495 DIODES

完全替代

 SOT23 NPN SILICON PLANAR MEDIUM

与FMMT493相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FMMT493A DIODES

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

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