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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FMMT491
FMMT491 PDF预览

FMMT491

更新时间： 2024-11-13 22:48:59
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 133K
描述
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

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FMMT491 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：7.59Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：1 A基于收集器的最大容量：10 pF
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

FMMT491 数据手册

 浏览型号FMMT491的Datasheet PDF文件第2页 
SOT23 NPN SILICON PLANAR  
MEDIUM POWER TRANSISTOR  
FMMT491  
ISSUE 3 - OCTOBER 1995  
✪
FEATURES  
*
Low equivalent on-resistance; RCE(sat) 210mΩ at 1A  
E
C
B
COMPLEMENTARY TYPE -  
PARTMARKING DETAIL -  
FMMT591  
491  
SOT23  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
80  
Collector-Emitter Voltage  
60  
V
Emitter-Base Voltage  
VEBO  
5
V
Continuous Collector Current  
Peak Pulse Current  
IC  
1
A
ICM  
2
A
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
Ptot  
500  
mW  
°C  
Tj:Tstg  
= 25°C).  
-55 to +150  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
MAX.  
UNIT  
CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
VCEO(sus)  
V(BR)EBO  
80  
60  
5
V
V
V
IC=100µA  
IC=10mA*  
IE=100µA  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off Current  
Collector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
ICBO  
100  
100  
100  
nA  
nA  
nA  
VCB=60V  
VCES=60V  
VEB=4V  
ICES  
IEBO  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
0.25  
0.50  
V
V
IC=500mA, IB=50mA*  
IC=1A, IB=100mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
VBE(on)  
hFE  
1.1  
V
IC=1A, IB=100mA*  
Base-Emitter  
Turn On Voltage  
1.0  
V
IC=1A, VCE=5V*  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
100  
100  
80  
IC=1mA, VCE=5V  
IC=500mA, VCE=5V*  
IC=1A, VCE=5V*  
IC=2A, VCE=5V*  
300  
10  
30  
Transition Frequency  
fT  
150  
MHz  
pF  
IC=50mA, VCE=10V  
f=100MHz  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
Cobo  
VCB=10V, f=1MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%  
3 - 115  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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