FMMT491

更新时间： 2024-11-14 10:34:51

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美微科 - MCC		晶体晶体管开关光电二极管
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3页	232K
描述
NPN Silicon Planar High Performance Transistor

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FMMT491 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

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FMMT491

Micro Commercial Components

Features

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

NPN Silicon Planar

High Performance

Transistor

•

Power dissipation: P_CM=0.5W(T_amb=25?)

•

Collector current: I_c=1A

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

Marking:491

Maximum Ratings*

Symbol

Rating

5.0

1.0

Unit

SOT-23

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current,

P_tot

Power Dissipation at Tamb=25R

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

500

T_J

-55 to +150

T_STG

Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage*

(I_C=10mAdc, I_B=0)

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=100µAdc, I_E=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I_E=100µAdc, I_C=0)

Collector Cutoff Current

(V_CB=60Vdc, I_E=0Vdc)

5.0

---

Vdc

DIMENSIONS

INCHES

MIN

---

Vdc

DIM

MAX

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

NOTE

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

0.1

uAdc

Vdc

I_EBO

Emitter Cutoff Current

(V_EB=4.0Vdc, I_C=0)

---

V_CE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage*

(I_C=500mAdc, I_B=50mAdc)

(I_C=1Adc, I_B=100mAdc)

Base-Emitter Saturation Voltage*

(I_C=1Adc, I_B=100mAdc)

Base-Emitter Voltage*

.0005

.035

.003

.015

---

0.25

0.5

.085

.37

V_BE(sat)

V_BE

---

1.1

Vdc

Suggested Solder

Pad Layout

(V_CE=5Vdc, I_C=1Adc)

DC Current Gain

h_FE

(V_CE=5Vdc, I_C=1mAdc)

(V_CE=5Vdc, I_C=500mAdc)*

(V_CE=5Vdc, I_C=1Adc)*

(V_CE=5Vdc, I_C=2Adc)*

Transition Frequency

100

---

300

---

.031

.800

---

.035

.900

---

f_T

.079

2.000

(I_C=50mAdc, V_CE=10Vdc, f=100MHz)

Output Capacitance

(V_CB=10Vdc, f=1.0MHz)

150

---

MHz

inches

C_ob

* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300us. Duty cycle!2%

.037

.950

.037

.950

www.mccsemi.com

Revision: A

2011/01/01

1 of 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FMMT491A	ZETEX	获取价格	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
FMMT491A	TYSEMI	获取价格	Very Low Equivalent Resistance, SOT23 NPN Rsilicon planar
FMMT491A	KEXIN	获取价格	Medium Power Transistor
FMMT491A	DIODES	获取价格	SOT23 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
FMMT491A	RECTRON	获取价格	Package / Case : SOT-23;Mounting Style : SMD/SMT;Power Rating : 0.5 W;Transistor Polarity
FMMT491AQ	DIODES	获取价格	NPN, 40V, 1A, SOT23
FMMT491AQTA	DIODES	获取价格	40V NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23
FMMT491AQTC	DIODES	获取价格	40V NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23
FMMT491ATA	DIODES	获取价格	40V NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23
FMMT491ATC	DIODES	获取价格	40V NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23

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