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MMBT451

更新时间： 2024-01-26 09:38:56

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	121K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN

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MMBT451 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

MMBT451 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

MMBT451

Features

NPN Silicon Planar

High Perfromance

Transistor

1.0 Amp continuous current

P_tot=500mW

Marking Code: MMBT451=451

Maximum Ratings*

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_CM

Rating

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Rating

5.0

2.0

1.0

200

500

Unit

SOT-23

ꢀ

Peak Pulse Current

I_C

I_B

Collector Current, Continuous

Base Current

^OC

Power Dissipation at Tamb=25^OC

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

tot

T_J

T_STG

-55 to +150

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_CEO(sus)

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage*

DIMENSIONS

(I =10mAdc, I_B=0)

Collector-Base Breakdown Voltage

5.0

---

Vdc

uAdc

Vdc

---

INCHES

MIN

DIM

MAX

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

NOTE

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

(I =100ì Adc, I_E=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I =100ì Adc, I_C=0)

---

Collector Cutoff Current

(V_CB=60Vdc, I_E=0.4Vdc)

CBO

0.1

0.35

1.1

I_EBO

Emitter Cutoff Current

(V_EB=4.0Vdc, I_C=0)

.085

.37

V_CE(sat)

V_BE(sat)

h_FE

Collector-Emitter Saturation Voltage*

(I =150mAdc, I_B=15mAdc)

Suggested Solder

Pad Layout

Base-Emitter Saturation Voltage*

(I =150mAdc, I_B=15mAdc)

.031

.800

DC Current Gain

(V_CE=10Vdc, I_C=150mAdc)

(V_CE=10Vdc, I_C=1.0Adc)

150

---

.035

.900

f_T

Transition Frequency

(I_C=150mAdc, V_CE=10Vdc, f=100MHz )

Output Capacitance

(V_CB=10Vdc, f=1.0MHz )

.079

2.000

inches

150

---

MHz

obo

* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300us. Duty cycle<2%

.037

.950

.037

.950

www.mccsemi.com

Revision: 2

2003/04/30

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBT451-TP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3
MMBT4888	NSC	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,150V V(BR)CEO,TO-236
MMBT4888	TI	获取价格	MMBT4888
MMBT4889	NSC	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,150V V(BR)CEO,TO-236
MMBT4889	TI	获取价格	MMBT4889
MMBT489	BL Galaxy Electrical	获取价格	30V,1A,Medium Power NPN Bipolar Transistor
MMBT489LT1	ONSEMI	获取价格	High Current Surface Mount NPN Silicon Switching Transistor for Load Management in Portabl
MMBT489LT1_06	ONSEMI	获取价格	High Current Surface Mount NPN Silicon Switching Transistor for Load Management in Portabl
MMBT489LT1G	ONSEMI	获取价格	High Current Surface Mount NPN Silicon Switching Transistor for Load Management in Portabl
MMBT491	SECOS	获取价格	General Purpose Transistor

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