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MKA02N033UK

更新时间: 2024-09-16 14:55:43
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先科 - SWST /
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描述
小信号金氧半電晶體

MKA02N033UK 数据手册

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MKA02N033UK  
N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
Features  
Drain  
• Surface-mounted package  
• Built-in G-S Protection Diode  
• Typical ESD Protection HBM Class 2  
Gate  
Classification Voltage Range(V)  
0A  
0B  
1A  
1B  
1C  
2
< 125  
Source  
1. Gate 2. Source 3. Drain  
SOT-23 Plastic Package  
125 to < 250  
250 to < 500  
500 to < 1000  
1000 to < 2000  
2000 to < 4000  
4000 to < 8000  
8000  
3A  
3B  
Applications  
• Portable appliances  
• Battery management  
• Low power DC to DC converter  
Absolute Maximum Ratings (at Ta = 25unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
VGS  
ID  
Value  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current  
20  
± 12  
V
5
A
Peak Drain Current, Pulsed 1)  
Power Dissipation 2)  
IDM  
20  
A
Ptot  
Tj  
1.25  
W
- 55 to + 150  
- 55 to + 150  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
Tstg  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
RθJA  
Max.  
100  
Unit  
Thermal Resistance from Junction to Ambient 2)  
1) Pulse Test: Pulse Width 100 μs, Duty Cycle 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature TJ(MAX)=150°C.  
2) Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air, t 10 s.  
/W  
1 / 6  
®
Dated: 09/06/2023 Z Rev:04  

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