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MKA03N035LZK

更新时间： 2024-09-16 14:53:55

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小信号金氧半電晶體

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MKA03N035LZK 数据手册

MKA03N035LZK

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Surface-mounted package

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 2

Gate

Classification

Voltage Range(V)

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Source

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_DS

V_GS

I_D

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

± 20

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

I_DM

P_D

1.4

℃

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

T_j

- 55 to + 150

T_stg

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate, t ≤ 10 s.

℃

1 / 6

Dated: 13/03/2023 Z Rev:03

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