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MKA03P072U

更新时间： 2024-11-07 14:55:35

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小信号金氧半電晶體

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MKA03P072U 数据手册

MKA03P072U

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Extremely low threshold voltage

Gate

Applications

• High speed switch

• Battery management

• Portable appliances

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Source

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

-V_DS

V_GS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

± 12

-I_D

Pulsed Drain Current ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

-I_DM

P_D

1.4

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J,T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

℃

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate, t ≤ 10 s.

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Dated: 11/03/2022 Rev:02

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