Datasheet > MKA03N035LZK-CH

MKA03N035LZK-CH

更新时间： 2024-09-16 14:55:19

品牌	Logo	应用领域
先科 - SWST		/
页数	文件大小	规格书
6页	408K
描述
小信号金氧半電晶體

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MKA03N035LZK-CH 数据手册

MKA03N035LZK-CH

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• AEC-Q101 Qualified

• Surface-mounted package

• Built-in G-S Protection Diode

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Gate

• Typical ESD Protection HBM Class 2

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Source

Classification

Voltage Range(V)

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_DS

V_GS

I_D

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

± 20

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

I_DM

P_D

1.4

℃

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

T_j

- 55 to + 150

T_stg

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate, t ≤ 10 s.

℃

1 / 6

Dated: 13/03/2023 Z Rev:01

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与MKA03N035LZK-CH相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MKA03N038L	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MKA03N055L	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MKA03N125UK	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MKA03N150UK	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MKA03N650UK	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MKA03P060U	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MKA03P060U-AH	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MKA03P060U-CH	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MKA03P072U	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體
MKA03P095L	SWST	获取价格	小信号金氧半電晶體