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MKA02N035LS

更新时间： 2024-09-16 14:54:55

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小信号金氧半電晶體

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MKA02N035LS 数据手册

MKA02N035LS

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Low Threshold Voltage

Gate

Applications

Source

• Portable appliances

• Battery management

• Load switch

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_DS

V_GS

I_D

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Drain-Gate Voltage

± 20

Drain Current - Continuous

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

I_DM

Single Pulsed Avalanche Current ²⁾

Single Pulsed Avalanche Energy ²⁾

Total Power Dissipation (t ≤ 10 s)

Operating Junction and Storage Temperature Range

I_AS

E_AS

1.4

℃

P_tot

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Value

Unit

℃/W

Thermal Resistance-Junction to Ambient ³⁾

t ≤ 10 S

Steady State

R_θJA

110

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature TJ(MAX) = 150°C

²⁾Limited by TJ(max), starting T_J= 25 °C, L = 0.1 mH, R_g= 25 Ω, I_D= 11 A, V_GS= 10 V.

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 26/11/2020 Rev: 01

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