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MKA02P028US

更新时间： 2024-11-06 14:53:43

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小信号金氧半電晶體

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MKA02P028US 数据手册

MKA02P028US

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Surface-mounted package

Gate

1. Gate 2. Source 3. Drain

Source

SOT-23 Plastic Package

Application

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

-V_DS

V_GS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

± 12

-I_D

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

-I_DM

Power Dissipation ²⁾

P_tot

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J,T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

125

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, limited by T_J(MAX)

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.

℃/W

1 / 6

Dated: 04/11/2021 Rev:01

12 3 4 5 6

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