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MKA03N150UK

更新时间： 2024-11-06 14:55:31

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小信号金氧半電晶體

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MKA03N150UK 数据手册

MKA03N150UK

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Extremely low threshold voltage

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 1C

Gate

Classification Voltage Range(V)

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Source

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified

)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

V_DS

±12

V_GS

I_D

1.5

Peak Drain Current ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

I_DM

P_tot

700

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

Tj,T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

178

275

Unit

Maximum Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

℃

Maximum Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

℃/W

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,limted by Tjmax.

²⁾Device mounted on 1inch²copper plate with FR-4 substrate PC board, 2oz copper.

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout

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Dated: 06/06/2023 Rev:02

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