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MKA02P050US

更新时间： 2024-09-16 14:55:35

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小信号金氧半電晶體

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MKA02P050US 数据手册

MKA02P050US

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Surface-mounted package

Gate

Applications

1. Gate 2. Source 3. Drain

Source

• Portable appliances

• Battery management

SOT-23 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

-V_DS

V_GS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

± 12

Continuous Drain Current

-I_D

3.5

Pulsed Drain Current ¹⁾

-I_DM

Power Dissipation ²⁾

P_D

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j,T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

125

Unit

Thermal Resistance - Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

℃/W

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.

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Dated: 06/12/2021 Rev:01

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