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MKA02P028USK

更新时间： 2024-09-16 14:55:31

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小信号金氧半電晶體

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MKA02P028USK 数据手册

MKA02P028USK

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Surface-mounted package

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 2

Gate

Classification Voltage Range(V)

< 125

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Source

Application

• DC/DC Converter

• Boost Converter

• Load Switch

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

-V_DS

V_GS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

± 12

-I_D

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

-I_DM

Power Dissipation ²⁾

P_tot

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J,T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

125

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

℃/W

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.

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Dated: 11/08/2023 Z Rev:01

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