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MKA03P095LS

更新时间： 2024-09-16 14:56:03

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小信号金氧半電晶體

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MKA03P095LS 数据手册

MKA03P095LS

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Surface-mounted package

Gate

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Applications

Source

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ¹⁾

-V_DS

V_GS

-I_D

± 20

3.9

-I_DM

0.6

1.38

Power Dissipation ²⁾

P_D

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

T_j

- 55 to + 150

℃

T_stg

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

Steady State

t ≤ 10 s

208

90.5

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

℃/W

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate

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Dated: 09/05/2023 Rev:02

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