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MKA03N125UK

更新时间： 2024-09-16 14:55:11

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小信号金氧半電晶體

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MKA03N125UK 数据手册

MKA03N125UK

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Extremely low threshold voltage

• Advanced trench cell design

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 1A

Gate

Classification

Voltage Range(V)

1.Gate 2.Source 3.Drain

SOT-23 Plastic Package

Source

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

V_DS

V_GS

± 12

I_D

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

I_DM

Total Power Dissipation ²⁾

P_tot

800

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

156

Unit

Thermal Resistance - Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

℃

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.

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Dated:28/03/2023 Rev:02

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