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MKA02P041USK

更新时间： 2024-09-16 14:52:39

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小信号金氧半電晶體

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MKA02P041USK 数据手册

MKA02P041USK

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Extremely low threshold voltage

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 2

Gate

Classification

Voltage Range(V)

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Source

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

-V_DS

V_GS

-I_D

Gate-Source Voltage

± 8

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

-I_DM

P_D

t ≤ 10 s

1.5

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

t ≤ 10 s

Steady State

100

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

℃

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 14/06/2023 Z Rev:02

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