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MKA02P041UK-CH

更新时间： 2024-09-16 14:55:03

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小信号金氧半電晶體

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MKA02P041UK-CH 数据手册

MKA02P041UK-CH

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• AEC-Q101 Qualified

• Extremely low threshold voltage

• Built-in G-S Protection Diode

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Gate

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

• Typical ESD Protection HBM Class 1C

Source

Classification Voltage Range(V)

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Applications

• Portable appliances

• Battery management

• High speed switch

• Low power DC to DC Converter

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

-V_DS

V_GS

-I_D

± 8

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

-I_DM

P_D

t ≤ 10 s

1.5

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

t ≤ 10 s

Steady-State

100

Thermal Resistance - Junction to Ambient ²⁾

℃/W

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.

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Dated: 08/03/2023 Rev:01

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