5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> MJD210G
MJD210G PDF预览

MJD210G

更新时间： 2024-11-24 03:45:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 88K
描述
Complementary Plastic Power Transistors

阅读下载

中文翻译

获取价格

MJD210G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369A, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.43
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：5 A
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10JEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：12.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：65 MHz
Base Number Matches：1

MJD210G 数据手册

 浏览型号MJD210G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MJD210G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MJD210G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MJD210G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MJD210G的Datasheet PDF文件第6页 
MJD200 (NPN)  
MJD210 (PNP)  
Complementary Plastic  
Power Transistors  
NPN/PNP Silicon DPAK For Surface  
Mount Applications  
http://onsemi.com  
Designed for low voltage, low−power, high−gain audio  
amplifier applications.  
SILICON  
POWER TRANSISTORS  
5 AMPERES  
Features  
• Collector−Emitter Sustaining Voltage −  
25 VOLTS, 12.5 WATTS  
V
= 25 Vdc (Min) @ I = 10 mAdc  
C
CEO(sus)  
• High DC Current Gain − h = 70 (Min) @ I = 500 mAdc  
FE  
C
= 45 (Min) @ I = 2 Adc  
C
4
= 10 (Min) @ I = 5 Adc  
C
• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves  
(No Suffix)  
2
1
3
• Low Collector−Emitter Saturation Voltage −  
DPAK  
CASE 369C  
STYLE 1  
V
CE(sat)  
= 0.3 Vdc (Max) @ I = 500 mAdc  
C
= 0.75 Vdc (Max) @ I = 2.0 Adc  
C
• High Current−Gain − Bandwidth Product −  
f = 65 MHz (Min) @ I = 100 mAdc  
T
C
• Annular Construction for Low Leakage −  
= 100 nAdc @ Rated V  
MARKING DIAGRAM  
I
CBO  
CB  
• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in  
YWW  
J2x0G  
• ESD Ratings: Human Body Model, 3B u 8000 V  
Machine Model, C u 400 V  
• Pb−Free Packages are Available  
Y
= Year  
MAXIMUM RATINGS  
WW = Work Week  
x = 1 or 0  
G
Rating  
Collector−Base Voltage  
Collector−Emitter Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Symbol  
Max  
40  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
= Pb−Free Package  
V
CB  
V
25  
CEO  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
V
8.0  
EB  
I
5.0  
10  
Collector Current − Continuous  
− Peak  
C
Base Current  
I
1.0  
Adc  
B
P
12.5  
0.1  
W
W/°C  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
D
D
C
Derate above 25°C  
Total Power Dissipation (Note 1)  
P
1.4  
0.011  
W
W/°C  
@ T = 25°C  
A
Derate above 25°C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
−65 to +150  
°C  
J
stg  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad  
sizes recommended.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
August, 2006 − Rev. 8  
MJD200/D  
 
123456

中文翻译

下载PDF

MJD210G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
KSH210TM ONSEMI

完全替代

 PNP外延硅晶体管
KSH210TF ONSEMI

完全替代

 PNP外延硅晶体管

与MJD210G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MJD210G-TM3-T UTC

获取价格

 		PNP SILICON DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS
MJD210G-TN3-R UTC

获取价格

 		PNP SILICON DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS
MJD210G-TN3-T UTC

获取价格

 		PNP SILICON DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS
MJD210I FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
MJD210-I FAIRCHILD

获取价格

 		D-PAK for Surface Mount Applications
MJD210L-TM3-T UTC

获取价格

 		PNP SILICON DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS
MJD210L-TN3-R UTC

获取价格

 		PNP SILICON DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS
MJD210L-TN3-T UTC

获取价格

 		PNP SILICON DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS
MJD210R SWST

获取价格

 		功率三极管
MJD210RL ONSEMI

获取价格

 		Complementary Plastic Power Transistors

与MJD210G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证