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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | MICROWAVE, R-CQMW-F4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最大漏极电流 (ID)： | 0.06 A |
| FET 技术： | HIGH ELECTRON MOBILITY | 最高频带： | K BAND |
| JESD-30 代码： | R-CQMW-F4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROWAVE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最小功率增益 (Gp)： | 7.4 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | QUAD |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGF4417D | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| MGF4417D-01 | MITSUBISHI |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| MGF4418D-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| MGF4511C-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| MGF4511D | MITSUBISHI |
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Transistor |
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| MGF4511D-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| MGF4714AP | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| MGF4714AP-65 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| MGF4714CP | MITSUBISHI |
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PLASTIC MOLD PACKAGED LOW NOISE InGaAs HEMT |
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| MGF4851A | MITSUBISHI |
获取价格 |
SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT (Leadless Ceramic Package) |
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