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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.81 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 10 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2.4 A |
| FET 技术： | JUNCTION | 最高频带： | S BAND |
| JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 37.5 W |
| 最小功率增益 (Gp)： | 8 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGF0907B_1 | MITSUBISHI |
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L,S BAND POWER GaAs FET |
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| MGF0907B_11 | MITSUBISHI |
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High-power GaAs FET (small signal gain stage) |
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| MGF0909 | MITSUBISHI |
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L,S BAND POWER GaAs FET |
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| MGF0909A | MITSUBISHI |
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L,S BAND POWER GaAs FET |
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| MGF0909A_1 | MITSUBISHI |
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L,S BAND POWER GaAs FET |
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| MGF0909A_11 | MITSUBISHI |
获取价格 |
High-power GaAs FET(small signal gain stage) |
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| MGF0910A | MITSUBISHI |
获取价格 |
L, S BAND POWER GaAs FET |
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| MGF0910A_1 | MITSUBISHI |
获取价格 |
L, S BAND POWER GaAs FET |
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| MGF0910A_11 | MITSUBISHI |
获取价格 |
High-power GaAs FET (small signal gain stage) |
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| MGF0911A | MITSUBISHI |
获取价格 |
L, S BAND POWER GaAs FET |
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