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三菱 - MITSUBISHI | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
3页 | 29K | |
描述 | ||
L, S BAND POWER GaAs FET |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.82 |
外壳连接: | SOURCE | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 10 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 5 A |
最大漏极电流 (ID): | 1.3 A | FET 技术: | JUNCTION |
最高频带: | S BAND | JESD-30 代码: | R-CDFM-F2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | DEPLETION MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 27.3 W | 最小功率增益 (Gp): | 10 dB |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | GALLIUM ARSENIDE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MGF0910A_1 | MITSUBISHI |
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L, S BAND POWER GaAs FET | |
MGF0910A_11 | MITSUBISHI |
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High-power GaAs FET (small signal gain stage) | |
MGF0911A | MITSUBISHI |
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L, S BAND POWER GaAs FET | |
MGF0911A_1 | MITSUBISHI |
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L, S BAND POWER GaAs FET | |
MGF0911A_11 | MITSUBISHI |
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High-power GaAs FET (small signal gain stage) | |
MGF0912A | MITSUBISHI |
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L & S BAND GaAs FET | |
MGF0912A_11 | MITSUBISHI |
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High-power GaAs FET (small signal gain stage) | |
MGF0913A | MITSUBISHI |
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L & S BAND GaAs FET [ SMD non - matched ] | |
MGF0913A_11 | MITSUBISHI |
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High-power GaAs FET (small signal gain stage) | |
MGF0915A | MITSUBISHI |
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L & S BAND GaAs FET[ SMD non - matched ] |