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MGF0915A

更新时间： 2024-10-14 21:55:23

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三菱 - MITSUBISHI		/
页数	文件大小	规格书
48页	1309K
描述
L & S BAND GaAs FET[ SMD non - matched ]

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MGF0915A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CHIP CARRIER, R-CQCC-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.76	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	10 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3 A	最大漏极电流 (ID)：	0.8 A
FET 技术：	JUNCTION	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-CQCC-N3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	12 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	QUAD	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

MGF0915A 数据手册

MITSUBISHI SEMICONDUCTOR<GaAs FET>

MGF0915A

L & S BAND GaAs FET [ SMD non - matched ]

DESCRIPTION

The MGF0915A GaAs FET with an N-channel schottky

Gate, is designed for use UHF band amplifiers.

FEATURES

• High output power

Po=36.5 dBm(TYP.) @f=1.9GHz,Pin=23dBm

• High power gain

Gp=14.5 dB(TYP.) @f=1.9GHz

• High power added efficiency

ηadd=50 %(TYP.) @f=1.9GHz,Pin=23dBm

• Hermetic Package

APPLICATION

• For UHF Band power amplifiers

Fig.1

QUALITY

• GG

RECOMMENDED BIAS CONDITIONS

• Vds=10V • Ids=800 mA • Rg=100Ω

Delivery

-01:Tape & Reel(1K), -03:Trai(50pcs)

Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

Symbol

Parameter

Ratings

-15

Unit

Gate to source

breakdown voltage

VGSO

VGDO Gate to drain breakdown voltage

-15

Drain current

3000

-10

IGR

IGF

Reverse gate current

Forward gate current

Total power dissipation

Cannel temperature

Storage temperature

18.7

Tch

Tstg

175

°C

-65 to +175

Electrical characteristics

(Ta=25°C)

Symbol

Parameter

Test conditions

Limits

Typ.

2400

-3

Unit

Min.

Max.

Saturated drain current

Gate to source cut-off voltage

Transconductance

VDS=3V,VGS=0V

3000

IDSS

VDS=3V,ID=10mA

VDS=3V,ID=800mA

VDS=10V,ID=800mA,f=1.9GHz

Pin=23dBm

-1

-5

VGS(off)

35.0

1000

36.5

dBm

Output power

ηadd

GLP

Power added Efficiency

Linear Power Gain

VDS=10V,ID=800mA,f=1.9GHz

∆Vf Method

13.0

14.5

Rth(ch-c) Thermal Resistance *1

°C/W

*1:_{Channel to case /}

Above parameters, ratings, limits are subject to change.

(1/48)

Mitsubishi Electric

Mar./2005

12 3 4 5 6 7...48

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