MGF0919A

更新时间： 2024-01-25 13:55:02

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三菱 - MITSUBISHI		晶体射频场效应晶体管光电二极管放大器
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描述
L & S BAND GaAs FET [ SMD non matched ]

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MGF0919A 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-N2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.69	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	10 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.8 A	最大漏极电流 (ID)：	0.8 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-N2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	6 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

MGF0919A 数据手册

MITSUBISHI SEMICONDUCTOR<GaAs FET>

MGF0919A

L & S BAND GaAs FET [ SMD non – matched ]

DESCRIPTION

The MGF0919A GaAs FET with an N-channel schottky

Gate, is designed for use UHF band amplifiers.

FEATURES

· High output power

Po=30dBm(TYP.) @f=1.9GHz,Pin=12dBm

· High power gain

Gp=19dB(TYP.) @f=1.9GHz

· High power added efficiency

hadd=37%(TYP.) @f=1.9GHz,Pin=12dBm

· Hermetic Package

APPLICATION

· For UHF Band power amplifiers

Fig.1

QUALITY

· GG

RECOMMENDED BIAS CONDITIONS

· Vds=10V · Ids=300mA · Rg=500W

Delivery

-01:Tape & Reel(1K), -03:Trai(50pcs)

Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

Symbol

VGSO

Parameter

Ratings

Unit

Gate to source

breakdown voltage

-15

VGDO Gate to drain breakdown voltage

-15

Drain current

800

IGR

IGF

Reverse gate current

Forward gate current

Total power dissipation

Cannel temperature

Storage temperature

-2.4

Tch

Tstg

175

°C

-65 to +175

Electrical characteristics

(Ta=25°C)

Symbol

Parameter

Test conditions

Limits

Typ.

600

Unit

Min.

Max.

Saturated drain current

Gate to source cut-off voltage

Transconductance

Output power

VDS=3V,VGS=0V

-1.0

800

IDSS

VDS=3V,ID=2.0mA

-5.0

VGS(off)

VDS=3V,ID=300mA

260

dBm

VDS=10V,ID=300mA,f=1.9GHz

Pin=12dBm

hadd

GLP

Power added Efficiency

Linear Power Gain

Noise figure

VDS=10V,ID=300mA,f=1.9GHz

1.2

Rth(ch-c) Thermal Resistance *1

*1:Channel to case /

DVf Method

°C/W

Above parameters, ratings, limits are subject to change.

Mitsubishi Electric

June/2004

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