Datasheet > MGF0916A-03

MGF0916A-03

更新时间： 2024-10-15 14:53:19

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	107K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, SMD, 3 PIN

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MGF0916A-03 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CHIP CARRIER, R-CQCC-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	6 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.25 A
最大漏极电流 (ID)：	0.1 A	FET 技术：	JUNCTION
最高频带：	S BAND	JESD-30 代码：	R-CQCC-N3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	1.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	QUAD
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

MGF0916A-03 数据手册

< High-power GaAs FET (small signal gain stage) >

MGF0916A

L & S BAND / 0.2W

SMD non - matched

DESCRIPTION

The MGF0916A GaAs FET with an N-channel schottky

Gate, is designed for use UHF band amplifiers.

FEATURES

 High output power

Po=23dBm(TYP.) @f=1.9GHz,Pin=5dBm

 High power gain

Gp=19dB(TYP.) @f=1.9GHz

 High power added efficiency

add=30%(TYP.) @f=1.9GHz,Pin=5dBm

 Hermetic Package

APPLICATION

 For UHF Band power amplifiers

QUALITY

 GG

Fig.1

RECOMMENDED BIAS CONDITIONS

 Vds=6V  Ids=100mA  Rg=1k

Delivery

-01:Tape & Reel(1K), -03:Trai(50pcs)

Absolute maximum ratings (Ta=25C)

Symbol

Parameter

Ratings

Unit

Gate to source

breakdown voltage

VGSO

-8

VGDO Gate to drain breakdown voltage

Drain current

250

IGR

IGF

Reverse gate current

Forward gate current

Total power dissipation

Cannel temperature

Storage temperature

-0.6

1.5

Tch

Tstg

175

C

-65 to +175

Electrical characteristics

(Ta=25C)

Symbol

Parameter

Test conditions

Limits

Unit

Min.

150

Typ.

200

Max.

250

Saturated drain current

VDS=3V,VGS=0V

IDSS

Gate to source cut-off voltage

Transconductance

VDS=3V,ID=0.1mA

-1.5

-4.5

dBm

VGS(off)

VDS=3V,ID=100mA

Output power

VDS=6V,ID=100mA,f=1.9GHz

Pin=5dBm

add

GLP

Power added Efficiency

Linear Power Gain

Noise figure

VDS=6V,ID=100mA,f=1.9GHz

Rth(ch-c) Thermal Resistance *1

Vf Method

100

C/W

*1:_{Channel to case /}

Above parameters, ratings, limits are subject to change.

Publication Date : Apr., 2011

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