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MGF0913A

更新时间： 2024-10-14 21:55:27
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI /
页数 文件大小 规格书
4页 48K
描述
L & S BAND GaAs FET [ SMD non - matched ]

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MGF0913A 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：CHIP CARRIER, R-CQCC-N3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.83外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：10 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.8 A最大漏极电流 (ID)：0.2 A
FET 技术：JUNCTION最高频带：S BAND
JESD-30 代码：R-CQCC-N3元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：3.75 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：QUAD晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE

MGF0913A 数据手册

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MITSUBISHI SEMICONDUCTOR<GaAs FET>  
MGF0913A  
L & S BAND GaAs FET [ SMD non - matched ]  
DESCRIPTION  
The MGF0913A GaAs FET with an N-channel schottky  
Gate, is designed for use UHF band amplifiers.  
FEATURES  
· High output power  
Po=31dBm(TYP.) @f=1.9GHz,Pin=18dBm  
· High power gain  
Gp=13dB(TYP.) @f=1.9GHz  
· High power added efficiency  
hadd=48%(TYP.) @f=1.9GHz,Pin=18dBm  
· Hermetic Package  
APPLICATION  
· For UHF Band power amplifiers  
Fig.1  
QUALITY  
· GG  
RECOMMENDED BIAS CONDITIONS  
· Vds=10V · Ids=200mA  
· Rg=500W  
Delivery  
-01:Tape & Reel(1K), -03:Trai(50pcs)  
Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Symbol  
VGSO  
Parameter  
Ratings  
-15  
Unit  
V
Gate to source  
breakdown voltage  
VGDO Gate to drain breakdown voltage  
-15  
V
ID  
Drain current  
800  
mA  
mA  
mA  
W
IGR  
IGF  
PT  
Reverse gate current  
Forward gate current  
Total power dissipation  
Cannel temperature  
Storage temperature  
-2.5  
5.4  
5.0  
Tch  
Tstg  
175  
°C  
°C  
-65 to +175  
Electrical characteristics  
(Ta=25°C)  
Symbol  
Parameter  
Test conditions  
Limits  
Typ.  
550  
-3  
Unit  
Min.  
Max.  
Saturated drain current  
Gate to source cut-off voltage  
Transconductance  
Output power  
VDS=3V,VGS=0V  
400  
800  
mA  
V
IDSS  
VDS=3V,ID=2.5mA  
-1  
-5  
-
VGS(off)  
gm  
VDS=3V,ID=300mA  
-
200  
31  
mS  
dBm  
%
Po  
VDS=10V,ID=200mA,f=1.9GHz  
Pin=18dBm  
29.5  
-
hadd  
GLP  
NF  
Power added Efficiency  
Linear Power Gain  
Noise figure  
-
11  
-
48  
-
VDS=10V,ID=200mA,f=1.9GHz  
13  
-
dB  
2.0  
-
dB  
Rth(ch-c) Thermal Resistance *1  
DVf Method  
-
20  
30  
°C/W  
*1:Channel to case / Above parameters, ratings, limits are subject to change.  
Mitsubishi Electric  
June/2004  
1234

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