MGF0912A

更新时间： 2024-02-25 22:02:58

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三菱 - MITSUBISHI		晶体射频场效应晶体管放大器局域网
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3页	28K
描述
L & S BAND GaAs FET

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MGF0912A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	10 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A
最大漏极电流 (ID)：	2.6 A	FET 技术：	JUNCTION
最高频带：	S BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	53.6 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

MGF0912A 数据手册

MITSUBISHI SEMICONDUCTOR<GaAs FET>

MGF0912A

L & S BAND GaAs FET [ non – matched ]

DESCRIPTION

The MGF0912A GaAs FET with an N-channel schottky

OUTLINE DRAWING

Unit : millimeters

Gate, is designed for use L/S band amplifiers.

FEATURES

①

· High output power

Po=41.5dBm(TYP.) @f=1.9GHz,Pin=33dBm

· High power gain

Gp=10.5dB(TYP.) @f=1.9GHz

· High power added efficiency

hadd=38%(TYP.) @f=1.9GHz,Pin=33dBm

· Hermetic Package

②

φ2.2

0.6±0.2

③

APPLICATION

· For L/S Band power amplifiers

QUALITY

· GG

5.0

RECOMMENDED BIAS CONDITIONS

· Vds=10V · Ids=2.6A · Rg=50W

Delivery

Tray

9.0±0.2

14.0

1.9±0.4

Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

Symbol

Parameter

Ratings

-15

Unit

Gate to source

breakdown voltage

VGSO

(1) GATE

(2) SOURCE (FLANGE)

(3) DRAIN

GF-7

VGDO Gate to drain breakdown voltage

-15

Drain current

IGR

IGF

Reverse gate current

Forward gate current

Total power dissipation

Cannel temperature

Storage temperature

-30

53.6

Tch

Tstg

175

°C

-65 to +175

Electrical characteristics

(Ta=25°C)

Symbol

Parameter

Test conditions

Limits

Unit

Min.

Typ.

Max.

Saturated drain current

VDS=3V,VGS=0V

-2.0

IDSS

Gate to source cut-off voltage

Transconductance

VDS=3V,ID=20mA

VDS=3V,ID=2.6A

-5.0

VGS(off)

Output power

VDS=10V,ID=2.6A,f=1.9GHz

Pin=33dBm

40.5

41.5

10.5

2.3

dBm

hadd

GLP

Power added Efficiency

Linear Power Gain

VDS=10V,ID=2.6A,f=1.9GHz

DVf Method

9.5

°C/W

Rth(ch-c)

Thermal Resistance *1

*1:Channel to case / Above parameters, ratings, limits are subject to change.

Mitsubishi Electric

June/2004

12 3

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