MGF0843G

更新时间： 2024-10-15 11:02:11

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		晶体射频场效应晶体管放大器局域网
页数	文件大小	规格书
4页	113K
描述
High-power GaN HEMT (small signal gain stage)

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MGF0843G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	120 V
FET 技术：	HIGH ELECTRON MOBILITY	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	39 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET RF Small Signal
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM NITRIDE	Base Number Matches：	1

MGF0843G 数据手册

PRELIMINARY

< High-power GaN HEMT (small signal gain stage) >

MGF0843G

L to C BAND / 20W

non - matched

DESCRIPTION

The MGF0843G, GaN HEMT with an N-channel schottky

OUTLINE DRAWING

Unit : millimeters

gate, is designed for MMDS/UMTS/WiMAX applications.

FEATURES

①

 High voltage operation

VDS=47V

 High output power

Po=43.5dBm(TYP.) @f=2.6GHz,P3dB

 High efficiency

d=60%(TYP.) @f=2.6GHz,P3dB

 Designed for use in Class AB linear amplifiers

②

φ2.2

0.6±0.2

APPLICATION

 MMDS/UMTS/WiMAX

③

QUALITY

 GG

Packaging

5.0

 4 inch Tray (25 pcs)

RECOMMENDED BIAS CONDITIONS

 Vds=47V  Ids=170mA  Rg=60

9.0±0.2

14.0

Absolute maximum ratings (Ta=25C)

Symbol

VDS

VGS

IGR

Parameter

Ratings

Unit

Drain to Source Voltage

120

(1) GATE

(2) SOURCE (FLANGE)

Gate to source

voltage

-10

GF-7

(3) DRAIN

Reverse gate current

Forward gate current

Total power dissipation

Cannel temperature

Storage temperature

-3

IGF

PT*1

Tch

230

C

Tstg

-65 to +175

*1:Tc=25C

Electrical characteristics

(Ta=25C)

Symbol

Parameter

Test conditions

Limits

Unit

Min.

-1

Typ.

Max.

Gate to source cut-off voltage

3dB gain compression power

Drain efficiency

VDS=47V,ID=6mA

-5

dBm

VGS(off)

P3dB

VDS=47V,ID(RF off)=170mA

f=2.6GHz

42.5

43.5

d

*2 : Pin=20dBm

GLP *2

Linear power gain

Rth(ch-c) *3

Thermal resistance

ΔVf method

3.9

5.3

C/W

*3 :Channel-case

Specification are subject to change without notice.

Note

DC aging is recommended to perform before operating in order to stabilize a characteristics of GaN-HEMT. (Ta≧80C)

 Bias conditions

Vds=47V , Ids=170mA

 Time

10hrs

Publication Date : May., 2011

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与MGF0843G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MGF0846G	MITSUBISHI	获取价格	High-power GaN HEMT (small signal gain stage)
MGF0904	MITSUBISHI	获取价格	L,S BAND POWER GaAs FET
MGF0904A	MITSUBISHI	获取价格	L,S BAND POWER GaAs FET
MGF0904A_1	MITSUBISHI	获取价格	L,S BAND POWER GaAs FET
MGF0904A_11	MITSUBISHI	获取价格	High-power GaAs FET (small signal gain stage)
MGF0904A-01	MITSUBISHI	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se
MGF0905	MITSUBISHI	获取价格	L,S BAND POWER GaAs FET
MGF0905A	MITSUBISHI	获取价格	L,S BAND POWER GaAs FET
MGF0905A_1	MITSUBISHI	获取价格	L,S BAND POWER GaAs FET
MGF0905A_11	MITSUBISHI	获取价格	High-power GaAs FET (small signal gain stage)

与MGF0843G相关文章

纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

5
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

11
联发科推出全球首款3纳米汽车芯片CT-X1，挑战高通SA8295
2024-10-15

19
国家大基金减持三家半导体企业，市场反应各异
2024-10-15

17

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MGF0843G

MGF0843G 技术参数

MGF0843G 数据手册

与MGF0843G相关器件

与MGF0843G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MGF0843G

MGF0843G 技术参数

MGF0843G 数据手册

与MGF0843G相关器件

与MGF0843G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？