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| 三菱 - MITSUBISHI |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 3页 | 125K |  |
| 描述 | ||
| L,S BAND POWER GaAs FET | ||
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.79 |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 10 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.2 A | FET 技术： | JUNCTION |
| 最高频带： | S BAND | JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 23 W | 最小功率增益 (Gp)： | 10 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGF0906B_1 | MITSUBISHI |
获取价格 |
L,S BAND POWER GaAs FET |
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| MGF0906B_11 | MITSUBISHI |
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High-power GaAs FET (small signal gain stage) |
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| MGF0906B-01 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
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| MGF0907 | MITSUBISHI |
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L,S BAND POWER GaAs FET |
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| MGF0907A-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, |
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| MGF0907B | MITSUBISHI |
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L,S BAND POWER GaAs FET |
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| MGF0907B_1 | MITSUBISHI |
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L,S BAND POWER GaAs FET |
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| MGF0907B_11 | MITSUBISHI |
获取价格 |
High-power GaAs FET (small signal gain stage) |
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| MGF0909 | MITSUBISHI |
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L,S BAND POWER GaAs FET |
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| MGF0909A | MITSUBISHI |
获取价格 |
L,S BAND POWER GaAs FET |
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