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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.81 | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最大漏极电流 (ID)： | 3.2 A |
| FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR | 最高频带： | S BAND |
| JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 12 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGF0906 | MITSUBISHI |
获取价格 |
L,S BAND POWER GaAs FET |
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| MGF0906A-01 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, |
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| MGF0906B | MITSUBISHI |
获取价格 |
L,S BAND POWER GaAs FET |
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| MGF0906B_1 | MITSUBISHI |
获取价格 |
L,S BAND POWER GaAs FET |
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| MGF0906B_11 | MITSUBISHI |
获取价格 |
High-power GaAs FET (small signal gain stage) |
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| MGF0906B-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
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| MGF0907 | MITSUBISHI |
获取价格 |
L,S BAND POWER GaAs FET |
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| MGF0907A-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, |
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| MGF0907B | MITSUBISHI |
获取价格 |
L,S BAND POWER GaAs FET |
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| MGF0907B_1 | MITSUBISHI |
获取价格 |
L,S BAND POWER GaAs FET |
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