5秒后页面跳转
| 品牌 | Logo | 应用领域 |
| MICRO-ELECTRONICS |  |
/ |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 1页 | 52K |  |
| 描述 | ||
| ULTRA HIGH BRIGHTNESS LED LAMP | ||
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGF0805A | MITSUBISHI |
获取价格 |
L & S Band GaAs FET [ SMD non-matched ] |
|
| MGF0805A_11 | MITSUBISHI |
获取价格 |
High-power GaAs FET (small signal gain stage) |
|
| MGF0840G | MITSUBISHI |
获取价格 |
High-power GaN HEMT (small signal gain stage) |
|
| MGF0843G | MITSUBISHI |
获取价格 |
High-power GaN HEMT (small signal gain stage) |
|
| MGF0846G | MITSUBISHI |
获取价格 |
High-power GaN HEMT (small signal gain stage) |
|
| MGF0904 | MITSUBISHI |
获取价格 |
L,S BAND POWER GaAs FET |
|
| MGF0904A | MITSUBISHI |
获取价格 |
L,S BAND POWER GaAs FET |
|
| MGF0904A_1 | MITSUBISHI |
获取价格 |
L,S BAND POWER GaAs FET |
|
| MGF0904A_11 | MITSUBISHI |
获取价格 |
High-power GaAs FET (small signal gain stage) |
|
| MGF0904A-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
|
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
联发科推出全球首款3纳米汽车芯片CT-X1，挑战高通SA8295
国家大基金减持三家半导体企业，市场反应各异
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
