MGF0805A

更新时间： 2024-02-14 21:01:22

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三菱 - MITSUBISHI		晶体射频场效应晶体管放大器
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8页	117K
描述
L & S Band GaAs FET [ SMD non-matched ]

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MGF0805A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CHIP CARRIER, R-XQCC-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	15 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.5 A
最大漏极电流 (ID)：	2.5 A	FET 技术：	JUNCTION
最高频带：	S BAND	JESD-30 代码：	R-XQCC-N3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	21 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	QUAD
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

MGF0805A 数据手册

MITSUBISHI SEMICONDUCTOR <GaAs FET>

MGF0805A

L & S Band GaAs FET [ SMD non-matched ]

DESCRIPTION

Gate Mark

The MGF0805A, GaAs FET with an N-channel schottky

Round Corner

Gate, is designed for MMDS/UMTS/WiMAX applications.

FEATURES

• High output power : Po = 36.5 dBm (typ.)

• High power added efficiency : ηadd = 50 % (typ.)

• Hermetic package

• Designed for use in Class AB linear amplifiers

APPLICATIONS

• L/S band power amplifiers

QUALITY

• GG

RECOMMENDED BIAS CONDITIONS

• Vds = 10 V • Ids = 400 mA • Rg = 100 Ω

Packaging Tape & Reel (1000 pcs)

Absolute maximum ratings (Ta = 25° C)

Symbol

VDS

VGS

Parameter

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain current

Ratings

Unit

4.0 mm

- 5

2.5

Package Outline

(GF-50 Style)

Total power dissipation

Reverse gate current

Forward gate current

Channel temperature

Storage temperature

IGR

- 10

°C

IGF

Tch

Tstg

175

- 55 to +150

Electrical characteristics _{( Ta = 25° C)}

Limits

Symbol

Parameter

Test conditions

Unit

Min.

–

Typ.

Max.

–

Saturated drain current

IDSS

VDS = 3 V, VGS = 0 V

1800

Gate to source cut-off

voltage

VGS(off)

VDS = 3 V, IDS = 10 mA

- 0.5

- 1.1

- 2.0

Transconductance

Output power

VDS = 10 V, IDS = 400 mA

–

35.0

–

1000

36.5

–

dBm

VDS = 10 V, IDQ = 400 mA,

f = 1.9 GHz, Pin = 22 dBm

Power added efficiency

Linear power gain

Thermal resistance *1

ηadd

GLP

VDS=10V, IDQ=400mA, f=1.9GHz

13.0

–

14.5

Rth(ch-c)

∆Vf Method

°C/W

*1 : Channel to case

Specifications are subject to change without notice.

Mitsubishi Electric

Sept. / 2009

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