MGF0840G

更新时间： 2024-01-16 04:05:10

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三菱 - MITSUBISHI		晶体射频场效应晶体管放大器局域网
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描述
High-power GaN HEMT (small signal gain stage)

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MGF0840G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	120 V
FET 技术：	HIGH ELECTRON MOBILITY	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	21 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET RF Small Signal
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM NITRIDE	Base Number Matches：	1

MGF0840G 数据手册

PRELIMINARY

< High-power GaN HEMT (small signal gain stage) >

MGF0840G

L to C BAND / 10W

non - matched

DESCRIPTION

The MGF0840G, GaN HEMT with an N-channel schottky

OUTLINE DRAWING

Unit : millimeters

gate, is designed for MMDS/UMTS/WiMAX applications.

FEATURES

①

 High voltage operation

VDS=47V

 High output power

Po=40.5dBm(TYP.) @f=2.6GHz,P3dB

 High efficiency

d=60%(TYP.) @f=2.6GHz,P3dB

 Designed for use in Class AB linear amplifiers

②

φ2.2

0.6±0.2

APPLICATION

 MMDS/UMTS/WiMAX

③

QUALITY

 GG

Packaging

5.0

 4 inch Tray (25 pcs)

RECOMMENDED BIAS CONDITIONS

 Vds=47V  Ids=90mA  Rg=120

9.0±0.2

14.0

Absolute maximum ratings (Ta=25C)

Symbol

VDS

VGS

IGR

Parameter

Ratings

120

Unit

Drain to Source Voltage

(1) GATE

(2) SOURCE (FLANGE)

Gate to source

voltage

-10

GF-7

(3) DRAIN

Reverse gate current

Forward gate current

Total power dissipation

Cannel temperature

Storage temperature

-1.5

IGF

PT*1

Tch

230

C

Tstg

-65 to +175

*1:Tc=25C

Electrical characteristics

(Ta=25C)

Symbol

Parameter

Test conditions

Limits

Unit

Min.

-1

Typ.

Max.

Gate to source cut-off voltage

3dB gain compression power

Drain efficiency

VDS=47V,ID=3mA

-5

dBm

VGS(off)

P3dB

VDS=47V,ID(RF off)=90mA

f=2.6GHz

39.5

40.5

d

*2 : Pin=20dBm

GLP *2

Linear power gain

Rth(ch-c) *3

Thermal resistance

ΔVf method

6.8

9.8

C/W

*3 :Channel-case

Specification are subject to change without notice.

Note

DC aging is recommended to perform before operating in order to stabilize a characteristics of GaN-HEMT. (Ta≧80C)

 Bias conditions

Vds=47V , Ids=90mA

 Time

10hrs

Publication Date : May., 2011

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