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MBM29XL12DF80PBT-E1

更新时间： 2024-11-19 15:45:35

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MBM29XL12DF80PBT-E1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	PLASTIC, FBGA-96
针数：	96	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.74	最长访问时间：	80 ns
备用内存宽度：	16	启动块：	BOTTOM/TOP
JESD-30 代码：	R-PBGA-B96	JESD-609代码：	e1
长度：	14.5 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	32
功能数量：	1	端子数量：	96
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4MX32
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.1 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
类型：	NOR TYPE	宽度：	9.5 mm
Base Number Matches：	1

MBM29XL12DF-70/80

Data Sheet (Retired Product)

MBM29XL12DF-70/80Cover Sheet

This product has been retired and is not recommended for new designs. Availability of this document is retained for reference

and historical purposes only.

Continuity of Specifications

There is no change to this data sheet as a result of offering the device as a Spansion product. Any changes that have been

made are the result of normal data sheet improvement and are noted in the document revision summary.

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Publication Number MBM29XL12DF

Revision DS05-20901-2E

Issue Date July 31, 2007

12 3 4 5 6 7...96

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBM29XL12DF80PFV	FUJITSU	获取价格	Flash, 4MX32, 80ns, PDSO90, PLASTIC, SSOP-90
MBM29XL12DF80PFV	SPANSION	获取价格	Flash, 4MX32, 80ns, PDSO90, PLASTIC, SSOP-90
MBM29XL12DF80PFV-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 4MX32, 80ns, PDSO90, PLASTIC, SSOP-90
MBM300A6	HITACHI	获取价格	IGBT MODULE RANGE WITH SOFT AND FAST (SFD) FREE-WHEELING DIODES
MBM300GR12	RENESAS	获取价格	IGBT
MBM300GR12A	RENESAS	获取价格	300A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
MBM300GR12A	HITACHI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,
MBM300GR6	HITACHI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel,
MBM300GR6	RENESAS	获取价格	300A, 600V, N-CHANNEL IGBT
MBM300GS12AW	HITACHI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES