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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SSOP | 包装说明： | PLASTIC, SSOP-90 |
| 针数： | 90 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.1.A | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.74 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 70 ns | 备用内存宽度： | 16 |
| 启动块： | BOTTOM/TOP | JESD-30 代码： | R-PDSO-G90 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 23.7 mm |
| 内存密度： | 134217728 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 32 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 90 | 字数： | 4194304 words |
| 字数代码： | 4000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 4MX32 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SSOP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 编程电压： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.9 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 13.3 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MBM29XL12DF-80 | FUJITSU |
获取价格 |
PAGE MODE FLASH MEMORY CMOS 128M BIT |
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| MBM29XL12DF80PBT | FUJITSU |
获取价格 |
Flash, 4MX32, 80ns, PBGA96, PLASTIC, FBGA-96 |
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| MBM29XL12DF80PBT-E1 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 4MX32, 80ns, PBGA96, PLASTIC, FBGA-96 |
|
| MBM29XL12DF80PFV | FUJITSU |
获取价格 |
Flash, 4MX32, 80ns, PDSO90, PLASTIC, SSOP-90 |
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| MBM29XL12DF80PFV | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 4MX32, 80ns, PDSO90, PLASTIC, SSOP-90 |
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| MBM29XL12DF80PFV-E1 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 4MX32, 80ns, PDSO90, PLASTIC, SSOP-90 |
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| MBM300A6 | HITACHI |
获取价格 |
IGBT MODULE RANGE WITH SOFT AND FAST (SFD) FREE-WHEELING DIODES |
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| MBM300GR12 | RENESAS |
获取价格 |
IGBT |
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| MBM300GR12A | RENESAS |
获取价格 |
300A, 1200V, N-CHANNEL IGBT |
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| MBM300GR12A | HITACHI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, |
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