JDV2S06S

更新时间： 2024-01-19 06:54:42

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东芝 - TOSHIBA		二极管变容二极管光电二极管
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3页	96K
描述
TOSHIBA DIODE Silicon Epitaxial Planar Type

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JDV2S06S 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOD
包装说明：	1-1K1A, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.2
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管电容容差：	6.25%	最小二极管电容比：	1.8
标称二极管电容：	16 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	240	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

JDV2S06S 数据手册

JDV2S06S

TOSHIBA DIODE Silicon Epitaxial Planar Type

JDV2S06S

VCO for UHF Band Radio

Unit: mm

High Capacitance Ratio: C /C = 2.0 (typ.)

1V 4V

Low Series Resistance : r = 0.27 Ω (typ.)

This device is suitable for use in a small-size tuner.

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Reverse voltage

150

Junction temperature

Storage temperature range

°C

-55~150

stg

JEDEC

JEITA

―

TOSHIBA

1-1K1A

Weight: 0.0011 g (typ.)

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Characteristics

Reverse voltage

Symbol

Test Condition

Min

Typ.

Max

Unit

= 1 mA

Reverse current

= 10 V

= 1 V, f = 1 MHz

= 4 V, f = 1 MHz

7.0

1.8

Capacitance

8.0

2.0

0.27

8.5

Capacitance ratio

Series resistance

C /C

1V 4V

= 1 V, f = 470 MHz

0.45

Note: Signal level when capacitance is measured: V = 500 mVrms

sig

Marking

2002-01-23

12 3

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