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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | BCY |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.26 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 |
| JEDEC-95代码： | TO-39 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 10 W |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500/561 |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 30 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 2200 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 200 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANTX2N6193 | MICROSEMI |
完全替代  |
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, T |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N6211 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N6212 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N6213 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N6249 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N6249T1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, TO-2 |
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| JAN2N6250 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N6250T1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 275V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, TO-2 |
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| JAN2N6251 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N6251T1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, TO-2 |
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| JAN2N6274 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP POWER SILICON TRANSISTOR |
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