JAN2N3585

更新时间： 2024-11-10 22:51:43

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率双极晶体管局域网高功率电源
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2页	59K
描述
NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

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JAN2N3585 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-66
包装说明：	TO-66, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.17
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	25
JEDEC-95代码：	TO-66	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL-19500/384D	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

JAN2N3585 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 384

Devices

Qualified Level

JAN

2N3584

2N3585

JANTX

JANTXV

MAXIMUM RATINGS

Symbol

2N3585

Ratings

2N3584

250

Units

Vdc

Adc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Base Current

300

500

400

V_CEO

V_CBO

V_CER

V_EBO

I_B

375

300

6.0

1.0

2.0

Collector Current

I_C

Total Power Dissipation

@ T_A= +25⁰C ⁽¹⁾

@ T_C= +25⁰C ⁽²⁾

2.5

⁰C

P_T

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +200

T_J_,T

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Max.

Unit

⁰C/W

TO-66* (TO-213AA)

Thermal Resistance, Junction-to-Case

5.0

qJC

1) Derate linearly @ 14.85 mW/⁰C for T_A> +25⁰C

2) Derate linearly @ 200 mW/⁰C for T_C> +25⁰C

*See Appendix A for

Package Outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 10 mAdc

Symbol

Min.

Max.

Unit

Vdc

250

300

2N3584

2N3585

V_(BR)

CEO

Collector-Base Breakdown Voltage

I_C= 15 mAdc

375

500

2N3584

2N3585

V_(BR)

CER

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 150 Vdc

5.0

mAdc

I_CEO

I_CEX

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 300 Vdc, V_BE= 1.5 Vdc

V_CE= 400 Vdc, V_BE= 1.5 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 6.0 Vdc

1.0

2N3584

2N3585

0.5

mAdc

I_EBO

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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2N3584, 2N3585 JAN SERIES

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JAN2N3585 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N3771G	ONSEMI	功能相似	High Power NPN Silicon Power Transistors
2N5038G	ONSEMI	功能相似	NPN Silicon Transistors 20 AMPERE POWER TRANSISTORS 90 VOLTS - 140 WATTS
2N5302G	ONSEMI	功能相似	High−Power NPN Silicon Transistor

与JAN2N3585相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JAN2N3634	MICROSEMI	获取价格	PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR
JAN2N3634	ONSEMI	获取价格	MIL-PRF-19500/357: 140 V, 1 A PNP Small Signal Transistor, TO-39 3-Lead, 100-BLKBX, Milita
JAN2N3634L	MICROSEMI	获取价格	PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR
JAN2N3634L	ONSEMI	获取价格	MIL-PRF-19500/357: 140 V, 1 A PNP Small Signal Transistor, TO-5 3-Lead, 100-BLKBX, Militar
JAN2N3634UB	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC
JAN2N3635	ONSEMI	获取价格	MIL-PRF-19500/357: 140 V, 1 A PNP Small Signal Transistor, TO-39 3-Lead, 100-BLKBX, Milita
JAN2N3635	MICROSEMI	获取价格	PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR
JAN2N3635	RAYTHEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39,
JAN2N3635L	MICROSEMI	获取价格	PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR
JAN2N3635UB	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC

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