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JAN2N3700

更新时间： 2024-09-22 22:29:27

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管开关
页数	文件大小	规格书
2页	65K
描述
LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR

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JAN2N3700 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BCY
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.22
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-18
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500/391H
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

JAN2N3700 数据手册

TECHNICAL DATA

LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 391

Devices

2N3019

Qualified Level

JAN

2N3057A

2N3700

2N3019S

2N3700S

JANTX

JANTXV

JANS

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Symbol

Value

Units

Vdc

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

140

7.0

Vdc

TO-39* (TO-205AD)

2N3019, 2N3019S

Vdc

1.0

Adc

Total Power Dissipation

@ T_A= +25⁰C⁽¹⁾

2N3019; 2N3019S

2N3057A

2N3700

0.8

0.4

0.5

0.4

TO- 18* (TO-206AA)

2N3700

2N3700UB

P_T

@ T_C= +25⁰C⁽²⁾

2N3019; 2N3019S

2N3057A

5.0

1.8

2N3700

2N3700UB

Operating & Storage Jct Temp Range

1.8

1.16

-55 to +175

TO-46* (TO-206AB)

2N3057A

⁰C

T_J_,T

stg

1) Derate linearly 4.6 mW/⁰C for type 2N3019 and 2N3019S; 2.3 mW/⁰C for type 2N3057A;

2.85 mW/⁰C for type 2N3700; 6.6 mW/⁰C for type 2N3700UB for T_A³ +25⁰C.

2) Derate linearly 28.6 mW/⁰C for type 2N3019 and 2N3019S;

3 PIN SURFACE MOUNT*

2N3700UB

10.3 mW/⁰C for types 2N3057A, 2N3700, & 2N3700UB for T_C³ +25⁰C.

*See appendix A for package

outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Base Breakdown Voltage

I_C= 100 mAdc

Emitter-Base Breakdown Voltage

I_E= 100 mAdc

Collector-Emitter Breakdown Current

I_C= 30 mAdc

140

7.0

Vdc

V_(BR)

CBO

V_(BR)

EBO

V_(BR)

CEO

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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JAN2N3700 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTX2N3700	MICROSEMI	完全替代	LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR
BCP53	ONSEMI	功能相似	PNP Silicon Epitaxial Transistors MEDIUM POWER HIGH CURRENT SURFACE MOUNT

与JAN2N3700相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JAN2N3700S	MICROSEMI	获取价格	LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR
JAN2N3700UB	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 1A I(C)
JAN2N3715	MICROSEMI	获取价格	NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N3716	MICROSEMI	获取价格	NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N3735	RAYTHEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39,
JAN2N3735L	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-5VAR
JAN2N3737	RAYTHEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39,
JAN2N3737UB	ETC	获取价格	BJT
JAN2N3739	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 300V V(BR)CEO \| 250MA I(C) \| TO-66
JAN2N3740	MICROSEMI	获取价格	PNP POWER SILICON TRANSISTOR

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