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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-5 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.19 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 175 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 | JEDEC-95代码： | TO-5 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/357H | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 650 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 200 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N3637UB | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 175V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC |
|
| JAN2N3700 | MICROSEMI |
获取价格 |
LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N3700 | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, |
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| JAN2N3700 | ONSEMI |
获取价格 |
MIL-PRF-19500/391: 80 V, 1 A NPN Small Signal Transistor |
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| JAN2N3700S | MICROSEMI |
获取价格 |
LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N3700UB | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) |
|
| JAN2N3715 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N3716 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N3735 | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, |
|
| JAN2N3735L | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-5VAR |
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